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基礎(chǔ)信息Product information

產(chǎn)品名稱：美國(guó)吉時(shí)利keithley源表

產(chǎn)品型號(hào)：keithley2430

更新時(shí)間：2025-06-07

產(chǎn)品簡(jiǎn)介：

美國(guó)吉時(shí)利keithley源表中國(guó)電子行業(yè)儀器優(yōu)質(zhì)供應(yīng)商——堅(jiān)融實(shí)業(yè)JETYOO INDUSTRIAL，Support、銷售Sale、服務(wù)Service，3S公司，提供解決方案、測(cè)試測(cè)量技術(shù)改進(jìn)、技術(shù)培訓(xùn)、采購(gòu)管理、售后維修服務(wù)。

產(chǎn)品特性Product characteristics

 中國(guó)電子行業(yè)儀器優(yōu)質(zhì)供應(yīng)商——堅(jiān)融實(shí)業(yè)JETYOO INDUSTRIAL，Support、銷售Sale、服務(wù)Service，3S公司，提供解決方案、測(cè)試測(cè)量技術(shù)改進(jìn)、技術(shù)培訓(xùn)、采購(gòu)管理、售后維修服務(wù)。

美國(guó)吉時(shí)利keithley源表2400系列研究領(lǐng)域：
各種器件的I-V功能測(cè)試和特征分析，包括：
 離散和無(wú)源元件 
–兩抽頭器件——傳感器、磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器頭、金屬氧化物可變電阻（MOV）、二極管、齊納二極管、電容、熱敏電阻
–三抽頭器件——小信號(hào)雙極結(jié)型晶體管（BJT）、場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）等等 
 簡(jiǎn)單IC器件——光學(xué)器件、驅(qū)動(dòng)器、開(kāi)關(guān)、傳感器
 集成器件——小規(guī)模集成（SSI）和大規(guī)模集成（LSI）
–模擬IC 
–射頻集成電路（RFIC）
–集成電路（ASIC）
–片上系統(tǒng)（SoC）器件
 光電器件，例如發(fā)光二極管（LED）、激光二極管、高亮度LED（HBLED）、垂直腔面發(fā)射激光器（VCSEL）、顯示器
 圓片級(jí)可靠性
- NBTI、TDDB、HCI、電遷移
 太陽(yáng)能電池
 電池
暫態(tài)抑制器件
IC、RFIC、MMIC
激光二極管、激光二極管模塊、LED、光電檢測(cè)器
電路保護(hù)器件:
TVS、MOV、熔絲
安全氣囊
連接器、開(kāi)關(guān)、繼電器
碳納米管
半導(dǎo)體納米線
碳納米管 FET
納米傳感器和陣列
單電子晶體管
分子電子
有機(jī)電子
基本運(yùn)放電路
二極管和電路
晶體管電路

測(cè)試：
漏流
低壓、電阻
LIV
IDDQ
I-V特征分析
隔離與軌跡電阻
溫度系數(shù)
正向電壓、反向擊穿、漏電流
直流參數(shù)測(cè)試
直流電源
HIPOT
介質(zhì)耐受性

雙極結(jié)型晶體管設(shè)計(jì)
結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管設(shè)計(jì)
金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管設(shè)計(jì)
太陽(yáng)能電池和 LED 設(shè)計(jì)
高電子遷移率晶體管設(shè)計(jì)
復(fù)合半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)

分析納米材料和實(shí)驗(yàn)器件
碳納米管的電測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)
測(cè)量碳納米管電氣特性
提高納米電子和分子電子器件的低電流測(cè)量
在低功率和低壓應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)準(zhǔn)確、可靠的電阻測(cè)量
納米級(jí)器件和材料的電氣測(cè)量
提高超高電阻和電阻率測(cè)量的可重復(fù)性
一種微分電導(dǎo)的改進(jìn)測(cè)量方法
納米技術(shù)準(zhǔn)確電氣測(cè)量的技術(shù)
納米級(jí)材料的電氣測(cè)量
降低外部誤差源影響的儀器技術(shù)
迎接65nm節(jié)點(diǎn)的測(cè)量挑戰(zhàn)
測(cè)量半導(dǎo)體材料的高電阻率和霍爾電壓
用微微微安量程測(cè)量電流
柵極電介質(zhì)電容電壓特性分析
評(píng)估氧化層的可靠性

的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和試驗(yàn)低電阻、低功耗半導(dǎo)體器
輸出極低電流和測(cè)量極低電壓分析現(xiàn)代材料、半導(dǎo)體和納米電子元件的電阻
低阻測(cè)量(低至10nΩ)分析導(dǎo)通電阻參數(shù)、互連和低功率半導(dǎo)體。
用于*進(jìn)CMOS技術(shù)的脈沖可靠性測(cè)試
高K柵極電介質(zhì)電荷俘獲行為的脈沖特性分析
用6線歐姆測(cè)量技術(shù)進(jìn)行更高準(zhǔn)確度的電阻測(cè)量
配置分立電阻器驗(yàn)證測(cè)試系統(tǒng)
電信激光二極管模塊的高吞吐率直流生產(chǎn)測(cè)試
多臺(tái)數(shù)字源表的觸發(fā)器同步
高亮度、可見(jiàn)光LED的生產(chǎn)測(cè)試
OLED顯示器的直流生產(chǎn)測(cè)試
在運(yùn)行中第5次測(cè)量用于偏置溫度不穩(wěn)定特性分析
數(shù)字源表的緩沖器以及如何用這兩個(gè)緩沖器獲取多達(dá)5000點(diǎn)數(shù)據(jù)
連接器的生產(chǎn)測(cè)試方案
射頻功率晶體管的直流電氣特性分析

1. MOS 電容器
C-V 曲線 (高頻：100kHz)：
摻雜類型 – 氧化層厚度 – 平帶電壓 – 閾值電壓 – 襯底摻雜 – zui大耗盡層寬度 – 反型層到平衡的靈敏度：電壓掃描率和方向 – 光效應(yīng)和溫度效應(yīng)。
I-V 曲線分析：
電荷建立 (測(cè)量電壓 - 時(shí)間圖，用低電流源)； 氧化層電容測(cè)定； 與 C-V 曲線比較。
C-V 曲線 (準(zhǔn)靜態(tài)) 結(jié)合 C-V 曲線：
表面電位 Ψs 與施加電壓的關(guān)系 – Si (100) 的表面態(tài)密度 Dit = f (Ψs) 與 Si (111) 的相比：方向和后處理退火的影響。
C-V 曲線 (高頻：100kHz)：
移動(dòng)氧化層電荷密度 (偏壓溫度應(yīng)力：200°C，10 分鐘，±10V)
 
2. 雙極結(jié)型晶體管
     主題
   正向共發(fā)射極輸出特性：Ic = f (Vce>0,Ib), Iceo (f) 測(cè)量。
   正向 CE 輸入特性：Ib = f (Vbe) 對(duì)于幾個(gè) Vce 正值。
   正向 Gummel 曲線： log Ic, log Ib = f(Vbe >0).
   確定增益 βf = Ic/Ib 和 af。
   Βf 與 log(Ic) 的關(guān)系： 低注入和高注入的效果。
   非理想特性：爾利電壓。
   反向 CE 輸出特性： Ic=f(Vce<0,Ib), Iceo(r).
   反向 CE 傳輸特性：Ib=f(Vbe) 對(duì)于幾個(gè)Vce負(fù)值。
   反向 Gummel 曲線： logIe, logIb=f(Vbc>0).
   確定增益 βr = Ie/Ib 和 ar。
   Βr 與 log(Ie) 的關(guān)系： 低注入和高注入的效果。
   Vce(sat) = Vbe(on) – Vbc(on) 確定，對(duì)于給定的 Ib 電流。
   Ebers Moll 模型構(gòu)建并且與實(shí)驗(yàn)做比較。
   BE 和 CE 結(jié)的 C-V 特性分析。基區(qū)摻雜濃縮。
 
3. 亞微米集成 MOSFET
輸出特性：IDS = f(VDS,VGS):
p型 MOSFET (增強(qiáng)或耗盡)，溝道長(zhǎng)度調(diào)制參數(shù)(λ) 在飽和區(qū)域 (VDS<–3V) 有效溝道長(zhǎng)度與 VDS 的關(guān)系。
傳輸特性：
IDS = f(VGS) and Transconductance gm = f(VGS) in the linear region (VDS = –0.1V): Determination of the threshold voltage VT and of the transconductance factor k.  
Derivation of the effective channel mobility μeff as function of VGS.
襯底偏壓特性： 
IDS = f(VGS,VBS>0), determination of the γ factor in the linear region (VDS = –0.1V). Doping concentration substrate.
亞閾值特性：
log (IDS) = f(VGS) for several high VDS values: Drain Induced Barrier Lowering (VT shift) effect.
襯底電流特性：
log (Ibs) = f(VGS) for several high VDS values: Hot carrier injection effects. Incidence on output characteristics at high drain levels.
使用長(zhǎng)溝道和短溝道公式的輸出特性模型：比較實(shí)驗(yàn)結(jié)果。

美國(guó)吉時(shí)利KEITHLEY2400數(shù)字源表進(jìn)行VCSEL測(cè)試
美國(guó)吉時(shí)利KEITHLEY2400測(cè)量光伏電池的I-V特性
美國(guó)吉時(shí)利KEITHLEY2400系列數(shù)字源表的SCPI應(yīng)用轉(zhuǎn)換為2600系列源表的腳本應(yīng)用
美國(guó)吉時(shí)利KEITHLEY2400系列數(shù)字源表進(jìn)行IDDQ測(cè)試和待機(jī)電流測(cè)試
使用兩臺(tái)美國(guó)吉時(shí)利KEITHLEY2400型數(shù)字源表輸出2A電流
美國(guó)吉時(shí)利KEITHLEY2400或其它非脈沖模式源表產(chǎn)生電流 (或電壓) 脈沖
美國(guó)吉時(shí)利KEITHLEY2400系列數(shù)字源表提升多引腳器件的生產(chǎn)量
美國(guó)吉時(shí)利KEITHLEY2400數(shù)字源表創(chuàng)建可擴(kuò)縮、多引腳、多功能IC測(cè)試系統(tǒng)
美國(guó)吉時(shí)利KEITHLEY2402數(shù)字源表對(duì)激光二極管模塊和VCSEL進(jìn)行高吞吐率直流生產(chǎn)測(cè)試
美國(guó)吉時(shí)利KEITHLEY2400系列數(shù)字源表進(jìn)行二極管生產(chǎn)測(cè)試
美國(guó)吉時(shí)利KEITHLEY2400系列數(shù)字源表進(jìn)行高亮度、可見(jiàn)光LED的生產(chǎn)測(cè)試
美國(guó)吉時(shí)利KEITHLEY2400系列數(shù)字源表進(jìn)行IDDQ測(cè)試和待機(jī)電流測(cè)試
美國(guó)吉時(shí)利KEITHLEY2400 數(shù)字源表驗(yàn)證變阻器
美國(guó)吉時(shí)利KEITHLEY2400系列源表進(jìn)行電池放電/充電周期
美國(guó)吉時(shí)利KEITHLEY2400配置電阻網(wǎng)絡(luò)的生產(chǎn)測(cè)試系統(tǒng)
美國(guó)吉時(shí)利KEITHLEY2430 1kW 脈沖源表進(jìn)行大電流變阻器的生產(chǎn)測(cè)試
美國(guó)吉時(shí)利KEITHLEY2400數(shù)字源表進(jìn)行熱敏電阻的生產(chǎn)測(cè)試

美國(guó)吉時(shí)利keithley源表2430脈沖數(shù)字源表SourceMeter（數(shù)字源表）系列是專為那些要求緊密結(jié)合激勵(lì)源和測(cè)量功能，要求精密電壓源并同時(shí)進(jìn)行電流與電壓測(cè)量的測(cè)試應(yīng)用而設(shè)計(jì)的。所有源表均由一個(gè)精密的、低噪聲、高穩(wěn)定的帶回讀功能的直流電源和一個(gè)低噪聲、高重復(fù)性、高輸入阻抗的5 1/2位多功能表組成，形成了緊湊的單通道直流參數(shù)測(cè)試儀。其功能相當(dāng)于電壓源、電流源、電壓表、電流表和電阻表的綜合體。通信、半導(dǎo)體、計(jì)算機(jī)、汽車與醫(yī)療行業(yè)的元件與模塊制造商都將發(fā)現(xiàn)，源表儀器對(duì)于各種特征分析與生產(chǎn)過(guò)程測(cè)試都實(shí)用價(jià)值。
 
    美國(guó)吉時(shí)利keithley 2430脈沖數(shù)字源表1kW脈沖模式源表具有與2425型100W源表相同的直流電源和測(cè)量范圍，另外提供了*的1kW脈沖模式，將電流上限擴(kuò)展到10A。這一模式使得美國(guó)吉時(shí)利keithley 2430脈沖數(shù)字源表非常適合于測(cè)量多種高功率器件（包括多層變阻器MLV和半導(dǎo)體元件）的擊穿電壓。在這些器件的生產(chǎn)測(cè)試過(guò)程中，人們通常在高達(dá)10A的大電流脈沖下測(cè)量擊穿電壓。并有高達(dá)10A@100V（脈沖式）的可編程雙極電壓和電流源，同時(shí)具有所有2400系列的高速測(cè)試功能。
 
    美國(guó)吉時(shí)利keithley 2430脈沖數(shù)字源表經(jīng)過(guò)編程可以產(chǎn)生各種占空比的單個(gè)脈沖或脈沖序列，脈寬可達(dá)5ms。在1kW的功率范圍上，可以通過(guò)編程產(chǎn)生長(zhǎng)度為2.5ms占空比為8%的脈沖。當(dāng)結(jié)合PC控制器以及合適的開(kāi)關(guān)硬件一起使用時(shí)，美國(guó)吉時(shí)利keithley 2430脈沖數(shù)字源表能夠?yàn)楦吖β势骷y(cè)試提供廉價(jià)的、高產(chǎn)能的解決方案、全面集成半架式的機(jī)殼外形。其他提供類似性能的解決方案，例如分立半導(dǎo)體元件測(cè)試器要比2430花更多4倍的成本，顯著地占用更大的機(jī)架空間。
 
 
2430脈沖數(shù)字源表特點(diǎn)
 2400系列提供寬動(dòng)態(tài)范圍：10pA to 10A，1µV to 1100V，20W to 1000W
四象限工作
0.012%的精確度，51/2的分辨率
可程控電流驅(qū)動(dòng)和電壓測(cè)量鉗位的 6位線電阻測(cè)量
在4?數(shù)位時(shí)通過(guò)GPIB達(dá)1700讀數(shù)/秒
內(nèi)置快速失敗/通過(guò)測(cè)試比較器
可選式接觸檢查功能（2430-C型）
數(shù)字I/O提供快速分選與機(jī)械手連接 GPIB, RS-232, 和觸發(fā)式連接面板 
 
 
2430脈沖數(shù)字源表主要指標(biāo)
  型號(hào) 2430、2430-C
 描述 脈沖型
 電流source/sink 是
 電壓source/sink 是
 輸出功率 1100W（脈沖式）
 輸出電壓（min./max.） ±1µV/±105V
 輸出電流（min./max.） ±100pA/±10.5A（脈沖式）
 電阻 <0.2Ω至>200MΩ
 基本精度I 0.035%
 基本精度V 0.015%
 基本精度Ω 0.06%
 接觸檢查功能（-C型） 2430-C型帶此功能
 典型應(yīng)用 大功率脈沖測(cè)試、變阻器及其它電路保護(hù)裝置
 隨機(jī)附件 測(cè)試線、LabVIEW軟件驅(qū)動(dòng)（可供下載）、LabTracer軟件（可供下載）

（SourceMeter®） 選型指南